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通過摻磷或摻硼，採用CZ等工藝，生產(chǎn)尺寸為3寸、4寸，電阻5-55Ω.cm，厚度200-350um等不同N型單晶硅片或P型單晶硅片，並可根據(jù)客戶要求生產(chǎn)定位邊單晶硅片，倒角單晶硅片，N型單晶硅片，P型單晶硅片等，電阻率和厚度根據(jù)客戶要求生產(chǎn)。

以單晶硅片為載體，通過摻磷或硼的擴(kuò)散方式，生產(chǎn)各種規(guī)格STD,FR,HER,SF，TVS等各類產(chǎn)品。

採用刀刮方法生產(chǎn)GPP芯片，並可根據(jù)客戶需要結(jié)合SIPOS（摻氧半絕緣多晶硅）沉積工藝生產(chǎn)，對提高芯片本身可靠性和穩(wěn)定性有其明顯。

採用光阻法生產(chǎn)GPP芯片，採用SIPOS（摻氧半絕緣多晶硅）沉積等技術(shù)，對提高芯片本身可靠性和穩(wěn)定性等品質(zhì)能力有其明顯。

採用電泳法生產(chǎn)的GPP芯片，可選擇性控制玻璃保護(hù)區(qū)域和厚度，可靠性和穩(wěn)定性效果明顯。