EPI芯片（外延芯片）
采用外延片為載體，進(jìn)行擴(kuò)散、玻璃鈍化，得到特殊產(chǎn)品特性，TRR波形振蕩較小，應(yīng)用上干擾較小。
外延片是指用外延工藝在襯底表面生長薄膜所生片的單晶硅片。采用外延片為載體，進(jìn)行擴(kuò)散、玻璃鈍化，得到特殊產(chǎn)品特性，TRR波形振蕩較小，應(yīng)用上干擾較小。
可以滿足客戶在高溫、高濕、強(qiáng)電場等惡劣條件下長時間工作需求。
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- EPI芯片參數(shù)配置表
-
參數(shù)配置表
|
Dimension |
A |
B |
C |
D |
|
Limits ±12 |
Limits ±2 |
Limits ±3 |
Limits ±1 |
|
|
1A |
50 |
12 |
27 |
2 |
|
2~4A |
64 |
12 |
41 |
2 |
|
3~6A |
72 |
12 |
49 |
2 |
|
5~8A |
84 |
12 |
61 |
2 |
|
8~10A |
95 |
12 |
72 |
2 |
|
Parameter |
Symbol |
SF50 |
SF64 |
SF72 |
SF84 |
SF95 |
Unit |
|
Peak Inverse V |
PIV |
100 ~ 800 |
Volts |
||||
|
Forward Current |
IF |
1 |
3 |
5 |
8 |
10 |
Amps |
|
Forward Volts |
VF |
PIV：200V VF spec. 0.9 PIV：400V VF spec. 1.25 PIV：600V VF spec. 1.7 PIV：800V VF spec. 2.2 |
Volts |
||||
|
Reverse recovery time |
TRR |
20~35 |
ns |
||||
|
Surge Current |
IFSM |
30 |
100 |
125 |
Amp/8.3ms |
||
|
Leakage at 100℃ |
IRFM |
400 |
uA |
||||
|
Junction Temp |
TJ,MAX |
150 |
Degrees ℃ |
||||
|
Leakage 25℃ |
IRFM |
10.0 |
uA |
||||
|
Storage Temp |
TST |
-65 ------- 150 |
Degrees ℃ |
||||
|
Die Attach Temp |
TD |
340~375 |
Degrees ℃/2 min |
||||
TRR波形振蕩較小(應(yīng)用上干擾較小)
本公司提供PG光刻制程,可根據(jù)客制要求電性特性;
低溫升產(chǎn)品；
大功率產(chǎn)品；
白/黃金擴(kuò)散產(chǎn)品。
